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先進合作研發(fā)硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu)，量產(chǎn)

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利用IRT納電子技術(shù)研究所的研究研究所的研究結(jié)果出發(fā)Leti的200mm研發(fā)線轉(zhuǎn)到200意法半導體mm晶圓試生產(chǎn)線于2020年前投入運營

中國/24 Sep 2018

世界領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬研究所Leti今天宣布合作開發(fā)硅基氮化鎵（GaN）動力開關(guān)設(shè)備制造技術(shù)。硅基氮化鎵動力技術(shù)將使意大利半導體能夠滿足混合動力和電動汽車充電器、無線充電和服務(wù)器等高、高功率的應(yīng)用需求。

本合作項目的重點是2000年的開發(fā)和測試mm晶片上先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu)。研究公司IHS2019年至2024[1]，該市場的復合年增長率將超過20%。半導體和意法Leti利用IRT納電子研究所的框架計劃在Leti的200mm工程樣品驗證有望于2019年完成。同時，意法半導體還將建立高質(zhì)量的生產(chǎn)線，包括GaN / 計劃2020年前在法國圖爾前工藝晶圓廠首次生產(chǎn)硅異質(zhì)外延工藝。

此外，鑒于硅基氮化鎵技術(shù)對功率產(chǎn)品的吸引力，Leti高密度電源模塊所需的先進電源模塊所需的先進包裝技術(shù)。

半導體汽車及分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti在意識到寬帶間隙半導體令人難以置信的價值后，意法半導體和CEA-Leti開始合作開發(fā)硅基氮化鎵功率器件的制造和包裝技術(shù)。ST通過市場檢驗的Transphorm代理本次合作之后，我們將進一步擁有行業(yè)內(nèi)最完整的產(chǎn)品生產(chǎn)能力GaN和SiC產(chǎn)品與功能的結(jié)合。

Leti首席執(zhí)行官Emmanuel Sabonnadiere表示：“Leti的團隊利用Leti的200mm一般平臺全力支持意大利半導體硅基氮化鎵功率產(chǎn)品的戰(zhàn)略規(guī)劃，并準備將該技術(shù)轉(zhuǎn)移到意大利半導體圖爾工廠硅基氮化鎵專用生產(chǎn)線。合作開發(fā)項目需要雙方團隊的共同努力IRT納電子研究所的框架計劃擴大所需的專業(yè)知識，從零開始創(chuàng)新設(shè)備和系統(tǒng)。”

編者注：
與硅等傳統(tǒng)半導體材料相比，工作電壓、頻率和溫度較高GaN設(shè)備的固有優(yōu)勢。除了功率氮化鎵技術(shù)外，意大利半導體還在開發(fā)另外兩種寬帶間隙技術(shù)：碳化硅（SiC）還有射頻氮化鎵（GaN）。

在GaN領(lǐng)域除了與CEA-Leti除了合作，意法半導體不久前宣布與之合作MACOM合作開發(fā)射頻硅基氮化鎵技術(shù)MACOM非電信市場開發(fā)的各種射頻產(chǎn)品和意大利半導體產(chǎn)品。兩個研發(fā)項目都用GaN，很容易引起混淆，但這兩種研發(fā)項目使用不同的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用優(yōu)勢。例如，功率硅基氮化鎵技術(shù)適用于200mm目前，射頻硅基氮化鎵至少更適合150mm在晶片上制造。無論如何，由于開關(guān)損耗低，GaN技術(shù)適用于制造更高頻率的產(chǎn)品。

另一方面，碳化硅設(shè)備的工作電壓較高，阻斷電壓超過1700V，雪崩電壓額定值超過1800V，低通態(tài)電阻使其非常適合能效和熱性能優(yōu)異的產(chǎn)品。有了這些特性，SiC非常適合電動汽車、太陽能逆變器和焊接設(shè)備。

關(guān)于意法半導體
意法半導體（STMicroelectronics; ST）它是世界領(lǐng)先的半導體公司，提供與日常生活密切相關(guān)的智能、高效的產(chǎn)品和解決方案。意大利半導體產(chǎn)品無處不在，致力于實現(xiàn)智能駕駛、智能工廠、智能城市和智能家居，以及下一代移動和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。意法半導體主張科技引領(lǐng)智能生活（life.augmented）的理念。2016年，意大利半導體凈收入69.7億美元，全球客戶超過10萬。詳情請瀏覽意大利半導體公司網(wǎng)站：www.st.com

關(guān)于Leti (法國)

小型技術(shù)領(lǐng)域使工業(yè)方案更加智能、節(jié)能、安全，CEA Tech技術(shù)研究院Leti世界領(lǐng)先。成立于1967年，Leti為國際企業(yè)、中小企業(yè)和初創(chuàng)企業(yè)提供定制化、差異化的應(yīng)用方案，是微米和納米技術(shù)的先驅(qū)。Leti探索解決醫(yī)療健康、能源和數(shù)字化面臨的重大挑戰(zhàn)。從傳感器到數(shù)據(jù)處理和計算方案，Leti多學科團隊為客戶提供深厚扎實的專業(yè)知識和世界級的試生產(chǎn)設(shè)施。該研究所擁有1900多名員工，2700項專利，91500平方英尺無塵室，總部位于法國格勒諾布爾，在硅谷和東京設(shè)有辦事處。 Leti已經(jīng)成立了60家創(chuàng)業(yè)公司Carnot Institutes網(wǎng)絡(luò)成員。

關(guān)注我們：www.leti.fr/en and @CEA_Leti.

CEA Tech法國新能源和原子能委員會（CEA）技術(shù)研究委員會是創(chuàng)新研發(fā)、國防安全、核能、工業(yè)和基礎(chǔ)科學技術(shù)研究領(lǐng)域的重要參與者湯森路透社評為世界第二大創(chuàng)新研究組織。CEA Tech利用其獨特的創(chuàng)新驅(qū)動文化和無與倫比的專業(yè)知識，開發(fā)和傳播新的工業(yè)技術(shù)，幫助客戶開發(fā)高端產(chǎn)品，提高市場競爭優(yōu)勢。

關(guān)于納電子技術(shù)研究所（IRT）
Leti納電子技術(shù)研究所（IRT）研發(fā)活動涉及信息和通信技術(shù)（ICT），特別是在微電子和納米電子技術(shù)領(lǐng)域。總部位于法國格勒諾布爾，IRT納米電子研究所利用該地區(qū)經(jīng)過測試的創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)，開發(fā)能夠促進納米電子未來發(fā)展的技術(shù)，促進新產(chǎn)品開發(fā)，為現(xiàn)有技術(shù)開發(fā)新的應(yīng)用（如物聯(lián)網(wǎng)）。IRT納電子的研發(fā)活動可以讓世界深入了解3D對集成電路的影響，如集成、硅光子學和功率器件。詳情訪問www.irtnanoelec.fr。

IRT納電子研究所是法國政府 “Program Investissements d'Avenir計劃企業(yè)獲得政府資金支持，備案號為ANR-10-AIRT-05。