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三星在與臺積電競爭的道路上，可謂頻繁出招。除了3納米引入新的GAAFET根據三星半導體藍圖分析，2025年大規模量產2納米，更先進的1.4納米預定2027年量產。

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韓國媒體The Elec三星計劃使用背面供電網絡(BSPDN)2納米芯片采用技術。研究員Park Byung-jae三星技術論壇近日舉行SEDEX 2022介紹BSPDN細節。從過去的高K金屬柵極技術到FinFET，接著邁向MBCFET，再到BSPDN，FinFET它仍然是半導體過程中最主流的技術，以前被稱為3D電晶是10納米等級制造的關鍵，三星已經轉向發展下一代GAAFET。

未來，三星將采用小芯片設計架構，不再采用同節點工藝技術，可連接不同的OEM、不同的節點工藝，也稱為3D-SOC。BSPDN它可以解釋為小芯片設計的演變。原本將邏輯電路與存儲器模塊集成的現有方案改為具有邏輯操作功能的正面、背面電源或信號傳輸。

值得一提的是，BSPDN這不是2019年第一次出現這個概念。IMEC研討會已經出現到2021年IEDM再次引用論文。2納米工藝應用BSPDN后端集成設計和邏輯最佳化可以解決FSPDN性能提高44%，功率效率提高30%。