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VEC2616-TL-W 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-SMD,扁平引線
  • 技術參數:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
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VEC2616-TL-W 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:VEC2616-TL-W
  • 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
  • 描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 和 P 溝道
  • FET功能:邏輯電平柵極,4V 驅動
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):3A,2.5A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):80 毫歐 @ 1.5A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):505pF @ 20V
  • 功率-最大值:1W
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-SMD,扁平引線
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