產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerTDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
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NVMFD5C650NLWFT1G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NVMFD5C650NLWFT1G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：21A（Ta），111A（Tc）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.2 毫歐 @ 20A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 98μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 4.5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2546pF @ 25V
- 功率-最大值：3.5W（Ta），125W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerTDFN
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