MMBFJ108 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):MMBFJ108
- 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
- 描述:JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
- 系列:晶體管 - JFET
- 零件狀態(tài):有源
- FET類(lèi)型:N 通道
- 電壓-擊穿(V(BR)GSS):25V
- 漏源電壓(Vdss):-
- 不同Vds(Vgs=0)時(shí)電流-漏極(Idss):80mA @ 15V
- 漏極電流(Id)-最大值:-
- 不同Id時(shí)電壓-截止(VGSoff):3V @ 10nA
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):-
- 電阻-RDS(On):8 Ohms
- 功率-最大值:350mW
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
- 封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- MMBFJ108優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)onsemi代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)