- 制造廠商:安森美
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:D2PAK(TO-263AB)
- 技術參數:MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK
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FQB3P20TM 技術參數詳情:
- 制造商產品型號:FQB3P20TM
- 制造商:ON安森美半導體(ONSEMI)
- 描述:MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 產品系列:QFET?
- 零件狀態:停產
- FET類型:P 通道
- 技術:MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):200V
- 25°C時電流-連續漏極(Id):2.8A(Tc)
- 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):2.7 歐姆 @ 1.4A,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):8nC @ 10V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):250pF @ 25V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):3.13W(Ta),52W(Tc)
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 器件封裝:D2PAK(TO-263AB)
- FQB3P20TM優勢代理貨源,國內領先的安森美芯片采購服務平臺。
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