產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：-
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
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VQ1001P-E3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：VQ1001P-E3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：4 個 N 通道
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：830mA
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.75 歐姆 @ 200mA，5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：110pF @ 15V
- 功率-最大值：2W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：-
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