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Vishay
熱門(mén)產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
SI8819EDB-T2-E1 圖片
  • 制造廠商:Vishay(威世)
  • 類(lèi)別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:4-MICRO FOOT?(0.8x0.8)
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
  • 豐富的Vishay公司產(chǎn)品,Vishay芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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SI8819EDB-T2-E1 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):SI8819EDB-T2-E1
  • 制造商:威世半導(dǎo)體(Vishay Semiconductor)
  • 描述:MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類(lèi)型:P 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):12V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):2.9A(Ta)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.5V,3.7V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):80 毫歐 @ 1.5A,3.7V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):17nC @ 8V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):650pF @ 6V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):900mW(Ta)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
  • 器件封裝:4-MICRO FOOT?(0.8x0.8)
  • SI8819EDB-T2-E1優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Vishay芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Vishay代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)
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