產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：TI
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
- 豐富的TI公司產(chǎn)品，TI芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
TPS1120DR 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：TPS1120DR
- 制造商：TI公司（德州儀器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 個(gè) P 溝道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：15V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：1.17A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：180 毫歐 @ 1.5A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：5.45nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：840mW
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- TPS1120DR優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的TI芯片采購服務(wù)平臺。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)TI代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺