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- 制造廠商：三星半導體
- 類別封裝：模塊，8GB
- 技術參數：SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導體公司產品，三星半導體芯片采購平臺
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M474B1G73EB0-YK0 技術參數詳情：
- 三星模塊型號：M474B1G73EB0-YK0
- 制造商：三星半導體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：模塊
- DDR：三代雙倍數據率同步動態隨機存儲器
- DIMM 類型：SODIMM
- 容量：8GB
- 內存區塊組織：2R x 8
- 速率：1600 Mbps
- 工作電壓：1.35 V
- 組件成分：(512M x 8) x 18
- M474B1G73EB0-YK0優勢代理貨源，國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
