產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
- 豐富的ST公司產(chǎn)品，ST芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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STGWA80H65DFB 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGWA80H65DFB
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類(lèi)型：溝槽型場(chǎng)截止
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：120A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：240A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A
- 功率-最大值：469W
- 開(kāi)關(guān)能量：2.1mJ（開(kāi)），1.5mJ（關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：414nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：84ns/280ns
- 測(cè)試條件：400V，80A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：85ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：通孔
- 封裝：TO-247-3
- STGWA80H65DFB優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的ST芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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