產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 425V 40A 200W D2PAK
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STGB20NB37LZ 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：STGB20NB37LZ
- 制造商：ST意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 425V 40A 200W D2PAK
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：PowerMESH?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：425V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：40A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：80A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 4.5V，20A
- 功率-最大值：200W
- 開關(guān)能量：11.8mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：51nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：2.3μs/2μs
- 測試條件：250V，20A，1 千歐，4.5V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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