產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Renesas（瑞薩）
- 類別封裝：RF FET，4-SMD
- 技術(shù)參數(shù)：DISCRETE RF FET
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NE3517S03-T1C-A 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Renesas瑞薩完整型號: NE3517S03-T1C-A
- 制造商：瑞薩電子（Renesas Electronics）
- 功能總體簡述: DISCRETE RF FET
- 系列: -
- 晶體管類型: HFET
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）: -
- 頻率: 20GHz
- 增益: 13.5dB
- 頻率 - 躍遷: -
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）: -
- 電壓 - 測試: 2V
- 額定電流: 15mA
- 功率 - 最大值: -
- 噪聲系數(shù): 0.7dB
- 不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: -
- 電流 - 測試: 10mA
- 功率 - 輸出: -
- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）: -
- 安裝類型: -
- 電壓 - 額定: 4V
- 封裝/外殼: 4-SMD，扁平引線
- 供應商器件封裝:
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