SP8J3TB 技術(shù)參數(shù)詳情:
- ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: SP8J3TB
- 制造商:羅姆半導(dǎo)體(ROHM Semiconductor)
- 功能總體簡述: MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC
- 系列: -
- FET 類型: 2 個 P 溝道(雙)
- FET 功能: 邏輯電平門
- 漏源極電壓(Vdss): 30V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 3.5A
- 不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 90 毫歐 @ 3.5A,10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 5.5nC @ 5V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 490pF @ 10V
- 功率 - 最大值: 2W
- 安裝類型: 表面貼裝
- 封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝: 8-SOIC N
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