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- 制造廠商：ROHM（羅姆）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
- 技術參數：MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
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RP1E090XNTCR 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：RP1E090XNTCR
- 制造商：羅姆半導體（ROHM Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：-
- 零件狀態：停產
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：9A（Ta）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：17 毫歐 @ 9A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：6.8nC @ 5V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：440pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：MPT6
- RP1E090XNTCR優勢代理貨源，國內領先的ROHM芯片采購服務平臺。
