燦芯半導體推出了兩項創新技術DDR物理層
(2025年1月15日更新)
芯片及一站式定制IP供應商-燦芯半導體最近宣布推出高速公路DDR物理層中的Zero-Latency (零延遲)和True-Adaptive兩種技術(真自適應)。這兩種技術已經開始于12/14 FinFET, 22/28nm的DDR4/LPDDR4,4x高性能物理層IP部署將為客戶帶來更高效、更穩定的新體驗。
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Zero-Latency (零延遲) 該技術采用兩種可選、獨特的采樣方法進行數據轉換,而不是其他方法DDR采用物理供應商FIFO跨時鐘域轉換將延遲降至最低,節省硅面積。
True-Adaptive (真自適應)技術始終如一KEMET代理跟蹤芯片中的電壓溫度、芯片與顆粒之間往返延遲的變化以及閱讀數據/閱讀數據選擇通信號的延遲偏差,并選擇適當的時間進行補償。使用此技術后,用戶只需在上電后進行一次培訓,然后讓物理層跟蹤補償,完全避免重新培訓帶來的帶寬損失。
燦芯半導體工程副總裁劉亞東說:燦芯半導體深耕DDR基于這些技術的物理技術多年來一直致力于創新架構和創新IP未來,燦芯半導體將致力于更好地滿足客戶需求,為客戶帶來更高的價值。
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