三星3nm工廠即將開工:全球首發GAA工藝 功耗直降50%
（2025年1月15日更新）
三星晶圓OEM部門最近一直負面，據報道，一些員工涉嫌偽造和虛報5nm、4nm、3nm工藝的良品率，如高通VIP客戶必須離開，重用臺積電生產驍龍8處理器。然而，從技術上講，三星仍然是唯一一代能夠跟上臺積電的晶圓Simcom代理工廠。
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雖然在7nm、5nm及4nm節點落后，但在接下來的3點nm三星節點更激進，全球首發GAA放棄晶體管工藝FinFET晶體管技術，臺積電3nm工藝仍將基于FinFET工藝。
三星之前說過，GAA它是一種新型的環繞柵極晶體管，由納米片設備制成MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，該技術能顯著提高晶體管的性能，主要取代多橋-通道場效應管FinFET晶體管技術。
根據三星的說法，7nm與制造工藝相比，3nm GAA技術邏輯面積效率提高45%以上，功耗降低50%，性能提高35%左右，但紙面參數優于臺積電3nm FinFET工藝。
當然，這些還是紙上的，三星的3nm工藝挑戰也不少，光是量產就是個問題，在三星宣傳2021年量產之前，其實并非如此，最快也是今年，而且是3GAE低功耗工藝，高性能3GAP工藝至少要2023年。
據韓國媒體報道，三星已準備在韓國平澤市P3.工廠開工建設3nm晶圓廠于6月和7月開工，設備及時引入。
按照這個進度，今年的3GAE這個過程只應該是小規模的試生產，大規模的大規模生產到明年，臺積電3nm工藝差不多，兩家都因為各種問題推遲了量產3nm工藝了。
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