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東芝推出了采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET,可大大提高電源效率
(2025年1月15日更新)

東芝電子元件及存儲設備有限公司(東芝)近日宣布推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQHU-MOSX-H該工藝適用于工業設備開關電源,包括數據中心電源和通信基站電源。該產品今天開始支持批量運輸。

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用現代用現代U-MOSⅧ-H”工藝的150V產品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH漏源導電阻下降約42%。對新型MOSFET結構優化促進了源漏導電阻與兩個電荷特性[2]之間的平衡[3],從而實現了優異的低損耗特性。此外,在開關操作過程中降低漏極與源極之間的尖峰電壓有助于減少開關電源的電磁干擾(EMI)。該產品提供SOP Advance和更廣泛使用SOP Advance(N)這兩種類型的表面貼裝包裝。

同時,東芝還提供支持開關電源電路設計的各種工具。除了快速驗證電路功能外G0 SPICE模型還提供高精度,可以準確再現瞬態特性G2 SPICE模型。

東芝將進一步擴大MOSFET通過減少損耗,提高設備的電源效率,幫助產品線降低功耗。

■ 應用:

- 通信設備電源

- 開關電源(高效率DC-DC轉換器等)

■ 特性:

- 優異的低損耗特性(平衡導通電阻、柵開關電荷和輸出電荷)

- 優良的導通電阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)@VGS=10V

- 高額定結溫:Tch(最大值)=175℃

■ 主要規格:

(除非另有說明,@Ta=25℃)

器件型號

TPH9R00CQH

絕對最大

額定值

漏源電壓VDSS(V)

150

漏極電流(直流)

ID(A)

@Tc=25℃

64

結溫Tch(℃)

175

電氣特性

泄漏導電阻

RDS(ON)最大值(mΩ)

@VGS=10V

9.0

@VGS=8V

11

總格柵電荷(格柵極-源極+格柵極-漏極)

Qg典型值(nC)

44

網極開關電荷Qsw典型值(nC)

11.7

ICPlus代理出電荷Qoss典型值(nC)

87

輸入電容Ciss典型值(pF)

3500

封裝

名稱

SOP Advance

SOP Advance(N)

尺寸典型值(mm)

5.0×6.0

4.9×6.1

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注:

[1] 東芝調查截至2022年3月。

[2] 網極開關電荷和輸出電荷。

[3] 與現有產品TPH1500CNH(U-MOSⅧ-H與系列相比,該產品導致泄漏電阻×格柵開關電荷增加約20%,漏源導電阻增加×輸出電荷增加了28%左右。

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