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5 月 29 半導體行業花了十多年時間準備極紫外線 (EUV) 新的高值孔徑光刻技術 EUV 光刻（High-NA EUV）技術會比這更快。

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但為了保持半導體的性能、功率、面積和成本（PPAc）領先的制造商仍然愿意造商仍然愿意為使用新技術付費，而這種技術對于未來 3nm 等待關節點具有重要意義。因此，英特爾、三星和臺積電都需要它TexasInstruments代理求都很高。

幾周前，ASML 披露其在 2022 年度第一季度財務報告稱，它已收到多個客戶 High-NA Twinscan EXE:5200 系統 (EUV 0.55 NA) 訂單。

據路透社報道，ASML 上周澄清說，他們已經得到了 5 個 High-NA 預計產品試點訂單將在 2024 年交付，超過 5 需要從單需要從 2025 具有更高生產率的后續型號于年交付。

有趣的是，早在 2020 ~ 2021 年，ASML 他說他已經收到了三個客戶 High-NA 意向訂單共提供多達 12 設置系統。目前，英特爾、三星和臺積電肯定會贏得2020年 ~ 2021 年預生產的 High-NA 機器。

此外，ASML 第一個已經開始生產了 High-NA 預計光刻系統將在 2023 年完成(原型機)并將被完成 Imec 和 ASML 客戶用于研發。

ASML 的 Twinscan EXE:5200 比普通的 Twinscan NXE:3400C 機器要復雜得多，所以建造這些機器需要更長的時間。該公司希望在未來中期交付 20 套 High-NA 這可能意味著其客戶將不得不競爭。

我們也在與供應鏈合作伙伴討論，以確保中期 20 個 EUV 0.55NA Wennink 說。

到目前為止，唯一確認使用的是 ASML High-NA 英特爾是光刻機 18A 英特爾計劃在節點 2025 年進入大規模生產， ASML 當時也開始交付 High-NA EUV 系統。但是英特爾最近已經把它放了 18A 推遲生產計劃 2024 年下半年，并表示可以使用 ASML 的 Twinscan NXE:3600D 或 NXE:3800E 它可以通過多種曝光模式生產。

從這個角度來看，英特爾 18A 毫無疑問，技術將大大受益 High-NA EUV 但工具并非完全不可分割Twinscan EXE:5200 機器。商言商，雖然 18A 不一定需要新機器，但多曝光模式意味著產品周期長、生產率低、風險高、回報率低、競爭難度大。因此，英特爾肯定也希望它 18A 節點盡快到來，從而重鑄過去的榮耀，從臺積電手中奪回過去的地位。