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IC臺積電2.5D及3D先進的包裝技術（APT）工藝平臺可以縮短芯片的特殊應用（ASIC）設計周期有助于降低風險，提高良率。雖然創意第一季度的收入較淡季下降，但預計仍將是季度收入的歷史，今年5奈米和7奈米委托設計（NRE）接案暢旺，ASIC量產將逐步放量，全力攻擊人工智能和高效運算（AI／HPC）客制化ASIC巨大的市場商機。

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今年創意保持樂觀前景，增長動能來自5奈米和7奈米AI／HPC相關芯片NRE接案暢旺，12奈米固態硬盤控制IC而擴大了網通芯片的大規模生產。此外，過去三年的創造力NRE今年，案會先后引進5奈米和7奈米量產，配合臺積電晶圓OEM和先進包裝產能支持，爭取系統廠AI／HPC客制化ASIC外包訂單深有信心。

創意發布2.5D與3D多晶粒APT平臺，支持臺積電CoWoS-S、CoWoS-R、InFO先進的包裝技術。創意提供全方位的解決方案，包括完成硅驗證的接口硅智能金融（IP）、CoWoS與InFO信號和電源的完整性、熱仿真過程以及產品量產驗證的可測試設計（DFT）生產試驗。

創意表示，由于配備高帶寬內存多年，（HBM）的CoWoS-S和InFO內部7奈米和5奈米晶粒與模擬過程相匹配GLink IP硅驗證已經完成。最近創意用5奈米工藝4Gbps HBM2E物理層CMLMicrocircuits代理與控制器IP，完成了CoWoS-R測試芯片驗證。

創意總經理戴尚義表示，創意去年開發了新一代HBM3、GLink-2.5D與GLink-3D等IP，并完成CoWoS-S／R與InFO設計平臺驗證，可以說是經歷了突破性的進展。創意與臺積電合作，努力減少最先進的2.5D與3D利用技術，讓客戶開發具有成本效益的高效產品，更快地進入量產。