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Microsemi
熱門產(chǎn)品型號
產(chǎn)品參考圖片
APTM100A13DG 圖片
  • 制造廠商:美高森美
  • 類別封裝:場效應管模塊,SP6
  • 技術參數(shù):MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
  • 豐富的美高森美公司產(chǎn)品,美高森美芯片采購平臺
  • 提供當日發(fā)貨、嚴格的質量標準,滿足您的目標價格
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APTM100A13DG 技術參數(shù)詳情:
  • Microsemi美高森美完整型號:APTM100A13DG
  • 制造商:Microsemi(美高森美,Microchip)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
  • 系列:-
  • FET 類型:2 個 N 通道(半橋)
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):65A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):156 毫歐 @ 32.5A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 6mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):562nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):15200pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1250W
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SP6
  • 供應商器件封裝:SP6
  • APTM100A13DG優(yōu)勢代理貨源,國內領先的美高森美芯片采購服務平臺。
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