產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 11A 60W TO262
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IRG4BH20K-L 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IRG4BH20K-L
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：IGBT 1200V 11A 60W TO262
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：11A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：22A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：4.3V @ 15V，5A
- 功率-最大值：60W
- 開關(guān)能量：450μJ（開），440μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：28nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：23ns/93ns
- 測試條件：960V，5A，50 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：-
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
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