產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：英飛凌
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：PG-TO252-3
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
- 豐富的英飛凌公司產(chǎn)品，英飛凌芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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IPD65R1K4CFDBTMA1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IPD65R1K4CFDBTMA1
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：CoolMOS?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類(lèi)型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：650V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：2.8A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.4 歐姆 @ 1A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：262pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：28.4W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 器件封裝：PG-TO252-3
- IPD65R1K4CFDBTMA1優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的英飛凌芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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