產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：單路IGBT，TO-252AA
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
- 豐富的仙童公司產(chǎn)品，仙童芯片采購平臺
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HGTD1N120BNS9A 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：HGTD1N120BNS9A
- 制造商：Fairchild 仙童半導(dǎo)體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
- 系列：-
- IGBT 類型：NPT
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：5.3A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：6A
- 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on)：2.9V @ 15V，1A
- 功率 - 最大值：60W
- Switching Energy：70μJ （開）， 90μJ （關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- Gate Charge：14nC
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：15ns/67ns
- Test Condition：960V, 1A, 82 歐姆, 15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
- 產(chǎn)品封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-252AA
- HGTD1N120BNS9A優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的仙童芯片采購服務(wù)平臺。
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