產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：場效應(yīng)管陣列，Power56
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
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FDMS3669S 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FDMS3669S
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
- 系列：PowerTrench
- FET 類型：2 N 溝道（雙）非對稱型
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：13A，18A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：10 毫歐 @ 13A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：24nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1605pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：Power56
- 供應(yīng)商器件封裝：Power56
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