- 制造廠商:Diodes(美臺(tái))
- 類(lèi)別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù):IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
- 豐富的Diodes公司產(chǎn)品,Diodes芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
DGTD120T40S1PT 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):DGTD120T40S1PT
- 制造商:Diodes Incorporated(美臺(tái)半導(dǎo)體)
- 描述:IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- IGBT類(lèi)型:場(chǎng)截止
- 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):80A
- 電流-集電極脈沖(Icm):160A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A
- 功率-最大值:357W
- 開(kāi)關(guān)能量:1.96mJ(開(kāi)),540μJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷:341nC
- 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:65ns/308ns
- 測(cè)試條件:600V,40A,10 歐姆,15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):100ns
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:通孔
- 封裝:TO-247-3
- DGTD120T40S1PT優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Diodes芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Diodes代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)