【環(huán)球時(shí)報(bào)綜合報(bào)道】美國計(jì)劃禁止中國企業(yè)銷售NAND閃存設(shè)備、韓國半導(dǎo)體行業(yè)或躺槍，韓國亞洲經(jīng)濟(jì)8月2日報(bào)道稱，美國正在考慮限制向中國存儲半導(dǎo)體制造商出口美國半導(dǎo)體制造設(shè)備、三星電子和SK海力士和其他韓國半導(dǎo)體制造商可能會遭受損失。
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報(bào)告稱，美國計(jì)劃禁止在中國銷售128層以上的銷售。NAND閃存芯片設(shè)備，內(nèi)的閃存芯片設(shè)備仍處于初步討論階段，沒有起草計(jì)劃。目前生產(chǎn)制造128層以上堆疊NAND閃存芯片設(shè)備包括美國應(yīng)用材料公司和泛林集團(tuán)。如果最終批準(zhǔn)這一限制計(jì)劃，將是美國首次通過出口管制限制中國非軍事用途的存儲芯片。
一些專家認(rèn)為，該計(jì)劃最大的受害者可能是韓國半導(dǎo)體行業(yè)，特別是三星電子和SK三星電子目前在西安和蘇州有兩個(gè)座位NAND閃存芯片工廠，SK海力士在無錫、重慶和大連建有生產(chǎn)線。SK海力士此前在中國收購了英特爾。NAND閃存芯HVMTechnology代理制造業(yè)務(wù)。如果美國計(jì)劃獲批，美國芯片設(shè)備將被禁止運(yùn)往位于中國的兩家韓國工廠。數(shù)據(jù)顯示，成立于2016年的長江存儲已成功批量生產(chǎn)128層NAND有傳言稱，閃存芯片最早可能在2022年底量產(chǎn)232層NAND閃存芯片。白宮在去年6月發(fā)布的一份報(bào)告中指出，長江存儲的擴(kuò)張戰(zhàn)略對美光科技、西部數(shù)據(jù)等美國企業(yè)構(gòu)成了直接威脅。
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