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英飛凌與美超微通力合作，利用英飛凌高效的功率級(jí)半導(dǎo)體，減少數(shù)據(jù)中心的功耗，共同促進(jìn)綠色計(jì)算的發(fā)展

（2025年1月15日更新）

【2022年10月26日德國(guó)慕尼黑消息】數(shù)字化創(chuàng)造了一個(gè)新時(shí)代。未來(lái)，隨著視頻流、在線會(huì)議、云服務(wù)、加密貨幣等大量數(shù)字應(yīng)用的投入，全球數(shù)據(jù)量將翻倍。專(zhuān)家估計(jì)，未來(lái)15年數(shù)據(jù)將增長(zhǎng)146倍。美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)[1]預(yù)測(cè)，2025年全球數(shù)據(jù)量最早將達(dá)到175澤字節(jié)（?175, 000，000，000，000，000，000字節(jié))。目前，大約有8000個(gè)數(shù)據(jù)中心Parallax代理處理、存儲(chǔ)和連接這個(gè)巨大的數(shù)據(jù)量。對(duì)于這些數(shù)據(jù)中心來(lái)說(shuō)，除了性能和安全性外，能效優(yōu)化對(duì)保持盈利能力和實(shí)現(xiàn)可持續(xù)性也至關(guān)重要。

芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注于整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IC代理商現(xiàn)貨資源，芯片庫(kù)存實(shí)時(shí)查詢，行業(yè)價(jià)格合理，采購(gòu)方便IC芯片，國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)芯片采購(gòu)平臺(tái)。

云、人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)、存儲(chǔ)和5G/邊緣整體IT美超微電腦有限公司是方案供應(yīng)商（Nasdaq代碼：SDCI）與英飛凌科技有限公司合作（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）利用英飛凌的高效功率級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)行合作，滿足上述要求，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心的低碳化。美超微服務(wù)器技術(shù)副總裁Manhtien Phan在開(kāi)發(fā)綠色計(jì)算平臺(tái)時(shí)，我們將重點(diǎn)選擇同樣重視優(yōu)化能效以降低能耗的制造商。結(jié)合英飛凌的技術(shù)，美超微解決方案可以降低系統(tǒng)功耗，降低數(shù)據(jù)中心的整體功耗，最大限度地減少對(duì)環(huán)境的影響。”

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)部總裁Adam White冷卻系統(tǒng)的能耗占數(shù)據(jù)中心整體能耗的很大一部分。英飛凌的TDA21490和TDA21535節(jié)能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品非常適合減少數(shù)據(jù)中心的散熱問(wèn)題。這種半導(dǎo)體產(chǎn)品耐高溫，可靠性極佳，依靠自然空氣冷卻可以幫助服務(wù)器。使用這種半導(dǎo)體產(chǎn)品可以幫助客戶進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)中心的電能效率，提高能源利用效率。”

英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)部總裁Adam White

電源使用效率（PUE）計(jì)算方法是將輸送到數(shù)據(jù)中心的總功率除以IT實(shí)際消耗設(shè)備的功率。理想的PUE值是1.0，即數(shù)據(jù)中心的所有電能都用于實(shí)際計(jì)算設(shè)備，而不是冷卻或電力轉(zhuǎn)換等間接設(shè)備。最新的研究表明[2]，IT數(shù)據(jù)中心經(jīng)理均表示，數(shù)據(jù)中心最大的年平均水平PUE值為1.數(shù)據(jù)顯示，面對(duì)超出預(yù)算的冷卻和電力成本，PUE二氧化碳排放有望進(jìn)一步減少，仍有改進(jìn)的空間。

美超微的綠色計(jì)算平臺(tái)可以顯著改進(jìn)PUE。具體來(lái)說(shuō)，美超微MicroBlade該系列可為各種處理器提供最佳的服務(wù)器密度，最多U112個(gè)單路在尺寸內(nèi)集成Atom單路56個(gè)節(jié)點(diǎn)Xeon節(jié)點(diǎn)和28條雙路Xeon通過(guò)自然空氣冷卻和電池備份電源，節(jié)點(diǎn)可以輕松大規(guī)模部署（BBP）批量配置數(shù)據(jù)中心的友好功能和設(shè)計(jì)。與標(biāo)準(zhǔn)的1U與機(jī)架服務(wù)器相比，MicroBlade功率效率和服務(wù)器密度最高可提高86%。

英飛凌OptiMOS集成功率級(jí)半導(dǎo)體TDA21490

TDA21535同時(shí)包裝了低靜態(tài)電流同步降壓柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器IC高邊，低邊MOSFET，采用有源二極管結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)肖特基勢(shì)壘二極管類(lèi)似體二極管的正電壓（Vsd）低值，反向恢復(fù)電荷很少。與基于控制器的前沿感應(yīng)直流電阻測(cè)量方法相比，TDA21535中有溫度補(bǔ)償?shù)膬?nèi)部MOSFET電流測(cè)量算法具有較高的電流測(cè)量精度。該產(chǎn)品在高達(dá)1.5兆赫茲的開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行，能實(shí)現(xiàn)高性能的瞬態(tài)響應(yīng)，并能在保持效率領(lǐng)先的同時(shí)減少電感和電容。