3nm彎道超車臺積電后 三星2nm工藝蓄勢待發:3年后量產
(2025年1月15日更新)
三星在6月的最后一天宣布3nm該工藝正式量產。這一次,三星終于領先臺積電,率先量產新一代工藝,彎道超車,后者3nm量產將于今年下半年進行。
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據三星官方介紹,3nm在芯片上,它放棄了以前的芯片FinFET采用新的架構GAA晶體管架構大大提高了芯片的功耗性能。
與5nm新開發的3nm GAE該工藝可降低功耗45%,面積16%,性能23%。
第二代的3nm GAP該工藝可降低50%的功耗,提高30%的性能,同時減少35%的面積,效果更好。
以后呢?三星也有計劃,3nm GAP過程結束后將迎來2nm GAP工藝也是基于納米片技術的GAA晶體管,但結構進一步優化,從3個納米片提升到4個,可提高驅動電流,優化堆疊結構,提高性能,降低功耗。
2nm GAP工藝量產時間也定了,預計2025年量產,時間Megawin代理間點與臺積電量產2nm工藝差不多,由于臺積電的2nm在晶體管密度上擠壓牙膏的過程只有10%。
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