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根據東芝最近的官方網站，他們的第三代 SiC MOSFET(碳化硅場效應管)計劃今年 8 月下旬開始量產。

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據了解，新產品采用新的設備結構，導電阻低，與第二代產品相比，開關損耗降低了約 20%。

2020 年 8 月，東芝利用這項新技術量產了第二代 SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET。這是一種將 SBD 嵌入 MOSFET 結構，將其與 PN 二極管 并聯放置 ，可以提高可靠性 10 倍 。

雖然上述器HARTING代理可以顯著提高零件結構的可靠性，但它有不可避免的缺點 —— 特定導通電阻和性能指標（Ron *Q gd）會增加，從而減少 MOSFET 性能；此外，為了降低導電阻，第二代 SiC MOSFET 芯片面積必須增加 ，這也會增加成本。

因此，東芝加強了對設備的處理 完善結構，研發了第三代 SiC MOSFET。優化電流擴散層結構，減少單元尺寸。實驗證明，與第二代相比， SiC MOSFET，東芝新的器件結構降低了特定的導電阻 43% ，Ron *Qgd 降低了 80% ，減少開關損耗 20%。

東芝最新公告顯示，采用新設備結構技術的第三代 SiC MOSFET 將在 8 月量產 ，證實東芝正在加強布局 SiC 并進入業務 IDM 模式 的正軌。

今年 Q1.東芝宣布將利用其在半導體制造設備技術方面的優勢，在內部生產功率半導體 碳化硅外延片 ；并且投資 55 億 用于擴大功率設備的生產，包括建設 8 英寸 碳化硅和氮化鎵生產線。

東芝表示，這種外延設備將 外延片 垂直集成模式的設備 ，有利于他們搶占鐵路、海上風力發電、數據中心和車載市場。