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2030年，三星制定計(jì)劃成為世界上最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造公司之一nm節(jié)點(diǎn)是他們的殺手锏，之前一直被良率差等負(fù)面?zhèn)髀劺�擾。最近三星終于亮出了第一個(gè)3nm根據(jù)計(jì)劃，晶圓將在今年Q第二季度量產(chǎn)比臺(tái)積電早。

芯片采購(gòu)網(wǎng)專(zhuān)注于整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IC代理商現(xiàn)貨資源，芯片庫(kù)存實(shí)時(shí)查詢，行業(yè)價(jià)格合理，采購(gòu)方便IC芯片，國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)芯片采購(gòu)平臺(tái)。

最近，美國(guó)總統(tǒng)參觀了位于平澤市附近的三星芯片廠，這是世界上唯一一家能量產(chǎn)3的芯片廠nm三星首次公，三星首次公開(kāi)3nm工藝制造的12英寸晶圓，但具體芯片尚不清楚。

三星nm由于臺(tái)積電的3nm工藝不會(huì)是上下一代GAA晶體管技術(shù)，三星3nm將啟用節(jié)點(diǎn)GAA該技術(shù)是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，由納米片設(shè)備制成MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通Parallax代理該技術(shù)能顯著提高晶體管的性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

根據(jù)三星的說(shuō)法，7nm與制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)邏輯面積效率提高45%以上，功耗降低50%，性能提高35%左右，但紙面參數(shù)優(yōu)于臺(tái)積電3nm FinFET工藝。

根據(jù)三星之前的聲明，3nm工藝將在2022年Q與臺(tái)積電相比，第二季度量產(chǎn)進(jìn)度為3nm這個(gè)過(guò)程也很激進(jìn)。后者今年下半年只能進(jìn)行小規(guī)模試產(chǎn)，明年才能大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。