欧美综合自拍亚洲综合,欧美高清在线不卡免费观看,亚洲欧美国产精品第1页,亚洲高清视频一区,亚洲a∨精品一区二区三区下载,国产情侣91

在先進(jìn)技術(shù)方面，臺(tái)積電今年年底量產(chǎn)3nm工藝，2025年量產(chǎn)2nm這一代人將開始使用技術(shù)GAA放棄現(xiàn)在的晶體管FinFET晶體管技術(shù)。

芯片采購網(wǎng)專注于整合國內(nèi)外授權(quán)IC代理商現(xiàn)貨資源，芯片庫存實(shí)時(shí)查詢，行業(yè)價(jià)格合理，采購方便IC芯片，國內(nèi)專業(yè)芯片采購平臺(tái)。

再往后呢？2nm之后是1.4nm工藝，Intel、三大芯片制造商臺(tái)積電和三星也在沖刺，其中三星首次宣布2027年量產(chǎn)1.4nm工藝，臺(tái)積電沒說時(shí)間點(diǎn)，預(yù)計(jì)2027年左右。

1.4nm之后就是1nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)曾經(jīng)被認(rèn)為是摩爾定律的物理極限，這是無法實(shí)現(xiàn)的，但是Parallax代理現(xiàn)在芯片廠商也在攻關(guān)。

臺(tái)積電已經(jīng)啟動(dòng)了先導(dǎo)計(jì)劃，傳聞中的1nm晶圓廠將落戶新竹科技園下屬的桃園龍?zhí)豆珗@，這意味著臺(tái)積電已開始達(dá)到1nm畢竟工廠需要提前一兩年建設(shè)。

但真正量產(chǎn)1nm還需要很長(zhǎng)時(shí)間，關(guān)鍵設(shè)備是下一代EUV升級(jí)下一代高光刻機(jī)NA(數(shù)值孔徑)標(biāo)準(zhǔn)，從現(xiàn)在的0開始.33 NA提升到0.55 NA，更高的NA這意味著分辨率更高，3nm后續(xù)工藝的必要條件。

按照ASML計(jì)劃，下一代EUV光刻機(jī)的試驗(yàn)型號(hào)最早將于明年發(fā)貨，2025年后達(dá)到正式量產(chǎn)能力，售價(jià)將超過4億美元。