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Intel前不久在VLSI會議介紹Intel的“4nm EUV這兩天媒體曝光了更多的材料，HP高性能庫密度可達1.6晶體管/mm2，是目前InMoSys代理tel 7工藝的2倍高于臺積電的5倍nm1.3億晶體管/mm接近臺積電3nm2.08億晶體管/mm2。

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與Intel 與7工藝相比，在相同的功耗下4nm EUV工藝頻率提高21.5%，功耗降低40%。EUV光刻機后，4nm EUV工藝率高，生產制造更簡單。不需要多次曝光。工藝步驟減少5%，光罩數量減少20%，無需多次對齊，提高了產能和成本。

4nm EUV能效進步會更明顯，功耗會降低40%。一些外國媒體指出，這足以啟動4nm EUV14代工藝酷睿Meteor Lake處理器擊敗M2.這件事意義重大。盡管蘋果的絕對性能是蘋果的ARM處理器還是比不上的x86處理器，但蘋果專注于低功耗的性能和能效x86處理器出汗，導致Intel壓力很大，現在4nm EUV工藝來了，Intel有望扳回一局。