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NANDFlash制造商一直試圖通過增加每個單元的存儲位數來提高存儲設備的存儲密度。據外國媒體報道，凱霞最近表示，該公司一直在試圖在一個單元中存儲更多的比特數NAND Flash閃存。

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據報道，鎧俠最近表示，他已試圖將7存儲在每個單元中 Bits (7 bpc)，盡管在實驗室和低溫條件下。為了提高存儲密度，存儲電壓狀態的數量將與每個單元一起存儲Bits指數增長。例如，為了存儲4位，單元必須保持16個電壓電平 (2^4)但使用6位數字會增加到64(2)^6)。裝甲實現的每個單元存儲7位需要保持128個電壓(2^7)。

2022年國際記憶研討會 (IMW 2022) 它展示了一篇描述其成就的論文俠利用外延生長構建的單晶硅通道達到7 bpc單晶硅的電阻低于多晶硅，因此更容易記錄此類單元。報告稱，與傳統晶體管相比，單晶硅單元晶體管的亞閾值斜率漏電流和讀取噪聲更低。這種NAND Flash該單元尚未在商業上實現。為了記錄和閱讀，鎧俠的科學家不得不在實驗室完成試驗，將芯片浸入液氮中(-196°C)穩定材料，降低電壓要求。

在實Wolfson代理定制晶體管只是超高密度的NAND Flash挑戰的一半。首先，研究人員必須開發和使用適合處理128種電壓狀態的自定義編碼方案SSD128個電壓電平的控制器可能和微處理器一樣復雜和昂貴。

因此，主要問題是使用昂貴而復雜SSD控制器將3D NAND記錄密度從5 bpc增加到7 bpc是否有意義。雖然最好的SSD通常成本很高，但過于先進的控制器可能會變得過于昂貴，并消除它們的所有優點。西方數據認為，即使在2025年之后，即使是5年 bpc的3D NAND幾乎毫無意義。然而，鎧俠現在展示了7 bpc物理可能性甚至可以提高到8 bpc。