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禁止使用美國(guó)計(jì)劃Gate-all-aroundGAA制造芯片所需的新技術(shù)EDA軟件出口到中國(guó)大陸，GAA(環(huán)繞柵極)是的GAA FET，所以，什么是GAA FET(圍柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管)

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數(shù)字芯片最基本的單元是數(shù)字芯片MOSFET，工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm，半導(dǎo)體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET采用平面結(jié)構(gòu)，溝槽寬度越小，泄漏到源極距離越小，載流子流量越長(zhǎng)，工作頻率越高同時(shí)，網(wǎng)格電壓越低，開關(guān)損耗越低導(dǎo)電阻降低，導(dǎo)電損耗降低。

然而，工藝尺寸越低，短溝效應(yīng)就越明顯。短溝效應(yīng)是晶胞單元的泄漏到源間距越來越小，下接觸面積越來越小，很難耗盡溝載流子，減弱溝控制；因此，泄漏電流會(huì)急劇增加，性能惡化，靜態(tài)功耗增加。

圖1：平面MOSFET結(jié)構(gòu)

若采用立體結(jié)構(gòu)，增加?xùn)艠O與溝道的接觸面積，如新的FinFET鰭型三維結(jié)構(gòu)是將柵極包裹在三個(gè)側(cè)溝中，以解決上述問題。

圖2 FinFET鰭型結(jié)構(gòu)

為進(jìn)一步提高柵極對(duì)溝的控制能力，縮小單元尺寸，降低電壓，GAA柵極環(huán)繞結(jié)構(gòu)被Espressif代理開發(fā)，。

圖3 柵極環(huán)繞結(jié)構(gòu)

GAA柵極環(huán)繞晶體管結(jié)構(gòu)的柵極在垂直方向分為幾條帶RibbonFET，對(duì)載流子的控制在其溝通區(qū)域得到了很大的提高，從而實(shí)現(xiàn)了更好的性能，同時(shí)也更容易優(yōu)化工藝。