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應(yīng)用材料公司宣布推出新系統(tǒng)，可以改進(jìn)晶體管布線的沉積過程，從而大大降低電阻，突破芯片在性能提升和功率降低方面的主要瓶頸。

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芯片制造商正在利用光刻領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù)將芯片工藝縮小到3納米及以下節(jié)點(diǎn)。然而，隨著互連線變薄，電阻呈指數(shù)級上升，這不僅降低了芯片的性能，而且增加了功耗。如果不能解決這個(gè)問題，更先進(jìn)的晶體管的好處將被指數(shù)級上升的布線電阻完全抵消。

芯片布線SiliconImage代理一般是指在介電材料上刻蝕沉積金屬的溝槽和通孔的過程。在傳統(tǒng)工藝中，用于布線沉積的金屬層通常由以下部分組成：阻擋層用于防止金屬和介電材料的擴(kuò)散；墊層用于增強(qiáng)附著力；種子層用于促進(jìn)金屬填充；導(dǎo)電金屬，如鎢或鈷用于晶體管接觸，銅用于連接。由于阻擋層和襯墊層難以微縮，當(dāng)槽和通孔尺寸減小時(shí)，導(dǎo)電材料的空間比例降低——連接越小，電阻越高。

Endura Ioniq PVD該系統(tǒng)是應(yīng)用材料公司解決二維微縮布線電阻問題的最新突破。Ioniq該系統(tǒng)是一種集成材料解決方案（IMS），表面可以制備，PVD和CVD同時(shí)，該過程集中在同一個(gè)高真空系統(tǒng)中

應(yīng)用材料公司EnduraIoniq PVD系統(tǒng)

Ioniq PVD system是一種集成材料解決方案（IMS），表面可以制備，PVD和CVD該過程同時(shí)集中在同一個(gè)高真空系統(tǒng)中。Ioniq PVD為芯片制造商提供低阻值純鎢PVD膜取代高阻值氮化鈦襯墊層和阻擋層，配合后續(xù)純鎢CVD薄膜制成純鎢金屬觸點(diǎn)。該方案解決了電阻問題，使二維微縮繼續(xù)作用于3納米及以下節(jié)點(diǎn)。

半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理珀拉布?拉賈博士說：應(yīng)用材料公司在解決電阻問題方面取得的最新突破，是材料工程創(chuàng)新延續(xù)二維微縮的絕佳例子。創(chuàng)新的Ioniq PVD該系統(tǒng)打破了晶體管性能提升的主要瓶頸，使其在運(yùn)行速度更快的同時(shí)減少了功率損失。隨著芯片復(fù)雜性的提高，在高真空中集成多個(gè)過程的能力對客戶提高布線以實(shí)現(xiàn)其性能和功率至關(guān)重要。”

Endura Ioniq PVD該系統(tǒng)已被世界上許多行業(yè)的領(lǐng)先客戶使用。如果您需要了解更多關(guān)于該系統(tǒng)的信息或其他用于解決關(guān)鍵布線和連接問題的應(yīng)用材料公司的解決方案，請關(guān)注美國時(shí)間5月26日舉行的芯片布線和集成新方法大師課程。