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世界知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）量產系統，本系列產品的柵極耐壓(柵極-源極間額定電壓)*2高達8V，電源電路非常適用于基站、數據中心等工業設備和各種物聯網通信設備。

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一般而言，GaN該裝置具有優異的低導電阻和高速開關性能，因此作為一種有助于降低各種電源功耗、實現外圍部件小型化的裝置，備受期待。但其柵極耐壓性很低，開關工作時設備可靠性存在問題。針對這一課題，ROHM新產品成功地將柵極-源極間額定電壓從間額定電壓從常規6V提高到了8V。這樣，即使在開關工作過程中產生超過6個V的過沖電壓*3.設備不會變質，有助于提高電源電路的設計裕度和可靠性。此外，該系列產品采用通用包裝，支持大電流，散熱性好，使安裝過程更容易操作。

新產品于2022年3月開始量產，前期工藝生產基地為ROHM Hamamatsu Co., Ltd.(日本濱松市)后期工序的生產基地是ROHM Co., Ltd.(日本京都市)。

ROHM它將有助于節能和小型化GaN設備產品陣容命名為EcoGaN一直致力于進一步提高設備的性能。ROHM將繼續發展融入Nano Pulse Control”*4.控制模擬電源技術IC及其模塊可以更大程度地提供GaN設備性能的電源解決方案有助于社會的可持續發展。

古古屋大學研究生院工學研究科研究科研究科 山本真義教授說：今年，日本經濟產業省制定了到2030年新建數據中心節能30%的目標，距離實現目標還有不到10年。但這些產品的性能不僅涉及到節能，還涉及到社會基礎設施的堅固性和穩定性。針對未來的社會需求，ROHM開發了新的GaN該裝置不僅更節能，而且網極耐壓性高達8V，能保證堅固性和穩定性。從這一系列產品開始，ROHM模擬電源技術通過整合其引以為豪的模擬電源技術Nano Pulse Control不斷提高各種電源的效率，應在不久的將來掀起一股巨大的技術浪潮，推動實現2040年半導體和信息通信行業碳中和的目標。”

開發背景>

近年來，由于服務器系統等領域IoT隨著對設備需求的不斷增加，功率轉換效率的提高和設備的小型化已成為重要的社會課題之一，需要不斷優化功率元件。ROHM大力推進行業先進SiC在開發和批量生產各種具有優勢的硅元件和組件的同時，一直致力于在中等耐壓范圍內具有優異的高頻工作性能GaN該設備的開發旨在為各種應用程序提供更廣泛的電源解決方案。

＜什么是EcoGaN＞

EcoGaN通過更大程度的優化GaN低導電阻和高速開關性能有助于應用產品進一步節能小型化ROHM GaN該系列產品有助于應用產品進一步降低功耗，實現外圍部件的小型化，減少設計時間和部件數量。

?EcoGaN是ROHM Co., Ltd.的商標。

>新產品的特點

1. 采用ROHM將柵極自有結構-極間額定電壓升高8V

普通的耐壓200V以下的GaN結構上柵極驅動電壓為5V，其柵極-源極間額定電壓為6V，電壓裕度很小，只有1V。一旦超過設備的額定電壓，可能會出現可靠性問題，如劣化和損壞，這需要高精度控制柵極驅動電壓。因此，這已成為一個障礙GaN設備普及的主要瓶頸。

針對本課題，采用新產品ROHM自有結構成功地將柵極-源極間的額定電壓從常規的6V提升到行業超高8V。這進一步擴大了設備工作時的電壓裕度，即使在開關工作過程中產生超過6個V過沖電壓，設備不會惡化，有助于提高電源電路的可靠性。

2. 包裝支持大電流，散熱性好

新產品采用的包裝形式支持大電流，散熱性能優異，在可靠性和安裝性方面具有優異的實際應用記錄，通用性強，使安裝過程更容易操作。此外，通過銅片鍵合包裝技術，寄生電感值比以往包裝降低55%，從而在設計可能高頻工作的電路時更大程度地發揮設備的性能。

3. 高頻段的電源效率高達96.5%以上

新產品通過擴大柵極-源極間額定電壓和低電感包裝，即使在1MHz高頻段也能達到96.5%以上的高效率，有助于提高電源設備的效率，進一步實現小型化。

應用示例>

?48個數據中心和基站V輸入降壓轉換器電路

?基站功率放大器單元升壓轉換器電路

?LiDAR無線充電電路驅動電路和便攜式設備

?D類音頻放大器

電路示例>

產品陣容>

術語解釋>

*1) GaN HEMT

GaN(氮化鎵)是一種用于新一代功率元件的化合物半導體材料。與普通半導體材料硅相比，具有更好的物理性能，其高頻特性的應用開始增加。

HEMonsemi代理T是High Electron Mobility Transistor英文首字母縮寫(高電子遷移率晶體管)。

*2) 柵極-源極間額定電壓(柵極耐壓)

最大電壓可施加在柵極和源極之間。工作所需的電壓稱為驅動電壓GaN HEMT將處于ON狀態。

*3) 過沖電壓

開關ON/OFF產生超過規定電壓值的電壓。

*4) Nano Pulse Control

電源中的超高速脈沖控制技術IC中實現納秒（ns）級開關導通時間(電源IC脈沖寬度的控制)使過去必須有兩個以上的電源IC從高電壓到低電壓完成的電壓轉換僅由一個電源完成IC可以實現。

?Nano Pulse Control是ROHM Co., Ltd.商標或注冊商標。